USB Flash Intel 3 bits por celda

USB Flash Intel 3 bits por celda
12 de agosto, 2009

Intel y Micron anuncian el desarrollo exitoso de nueva tecnología de memorias NAND Flash con tres bits por celda en procesos de fabricación de 34 nanómetros. La mejora con la mayor densidad de datos sobre el estándar de celdas multi-nivel (MLC) usado actualmente de 2 bits por celda, se traducirá en la fabricación a un menor coste de unidades USB Flash de alta capacidad. La muestra del chip ya ha sido enviada a los clientes y la producción masiva de unidades está prevista para finales de 2009. 

 

La nueva tecnología aporta mayor densidad de datos y ahorro de costes de fabricación pero no es tan fiable como el actual estándar de 2 bits por celda, por lo que su uso se limitará a dispositivos USB Flash y no a otros dispositivos de almacenamiento crítico como las unidades de estado sólido.

 

 

El chip de 126 milímetros cuadrados está basado en tecnología 3bpc en celdas multinivel de 32 gigabit (4 Gbytes) y será el “más pequeño y rentable disponible en el mercado”, según el anuncio de Intel y Micron. Las muestras fabricadas en procesos tecnológicos de 34 nanómetros ya han sido remitidas a clientes seleccionados, por lo que la producción de unidades está prevista para el último tercio del año.

 

Otros fabricantes como SanDisk y Toshiba ya anunciaron en febrero el desarrollo de memorias NAND Flash de 4 bits por celda (la de más alta capacidad de la industria) basadas en procesos de fabricación de 43 nanómetros y con un controlador integrado que permitiría velocidades de 7,8 Mbytes por segundo en modo escritura. De momento no hay noticias sobre la comercialización de unidades con esta tecnología.

 

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