Molibdenita, ¿adiós al silicio?

Los chips fabricados con materiales y procesos más eficientes en consumo de energía podrían ser la clave del futuro en la producción de microprocesadores. La molibdenita es uno de los materiales que podría suceder al silicio o al grafeno, según un artículo publicado en el diario Nature Nanotechnology. Un laboratorio en Suiza ha publicado el estudio en el que se demuestra que las ventajas de la molibdenita sobre el silicio o el grafeno en semiconductores podría ser muy interesante en el futuro.

El descubrimiento realizado en el laboratorio suizo del École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) podría desarrollar un papel fundamental en el segmento de la electrónica, ya que facilitaría la fabricación de transistores que son más pequeños y más eficientes energéticamente. 

La investigación llevada a cabo en el Laboratorio de Electrónica y Structuras a Nanoescala (LANES) ha revelado que la molibdenita (MoS2), es un semiconductor muy eficiente. Además, el mineral, que es muy abundante en la naturaleza, se usa a menudo como un elemento integrante de las aleaciones de acero o como aditivo en lubricantes, pero aún no se había estudiado su aplicación al mundo de la electrónica.

Según Andra Kis, uno de profesores del EPFL encargados del estudio, la molibdenita «es un material de dos dimensiones, muy delgado y fácil de usar en nanotecnología. Tiene potencial real en la fabricación de transitores muy pequeños, en la de LEDs y en células solares«.

Otros de los colaboradores del estudio señalaban también que la molibdenita tiene varias ventajas sobre dos materiales usados actualmente en semiconductores: el silicio, muy extendido, y el grafeno, no tan popular pero muy prometedor desde hace varios meses. No en vano, el descubrimiento de este material en 2004 le ha valido a sus descubridores el premio Nobel de 2010 en Física.

Una de las ventajas de la molibdenita es que es menos voluminoso que el silicio, que es un material en tres dimensiones. Pero lo más importante según sus descubridores es que se puede usar en transistores que consumen 100.000 veces menos energía en su estado de standby con respecto a los transistores de silicio.