Nuevos chips NAND Flash de 20 nm de Intel y Micron

Nuevos chips NAND Flash de 20 nm de Intel y Micron
15 de abril, 2011

Intel y Micron han anunciado el desarrollo de una memoria NAND Flash fabricada con escala de integación de 20 nanómetros, todo un logro para la evolución de la producción de chips de memoria que hará que por ejemplo un chip de 8 Gbytes ocupe entre un 30 y un 40% menos que los actuales chips fabricados en tecnología de integración de 25 nanómetros, con una superficie de tan solo 118 milímetros cuadrados.

Las nuevas memorias conservarán las mismas prestaciones que las existentes hasta la fecha, pero esa reducción en la escala de integración permitirá ofrecer un 50% más de capacidad en el mismo tamaño.

Dichos ahorros van claramente orientados al mercado de los dispositivos móviles, incluyendo tablets e incluso unidades de estado sólido.

El chip de 8 Gbytes ya se está enviando para diversas pruebas por parte de fabricantes, pero no entrará en producción masiva hasta la segunda mitad del año. Se estima que también habrá muestras de chips de 16 Gbytes, aunque aún no hay fecha estimada de su llegada a los fabricantes.

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