Intel y Micron anuncian NAND de 128 Gbits en 20 nm

Intel y Micron anuncian NAND de 128 Gbits en 20 nm
7 de diciembre, 2011

NAND 20 nm 128 Gbits

La colaboración entre Intel y Micron dentro del sector del almacenamiento sólido acaba de volver a dar fruto: NAND de 128 gigabits fabricado en tecnología de 20nm. Este anuncio llega junto una nueva interfaz, ONFi 3. que promete duplicar el rendimiento teórico máximo. Estas nuevas memorias utilizan paquetes de 16 Kbytes, duplicando los 8 Kbytes de los modelos de 25 nm.

Se espera que para el segundo trimestre de 2012 lleguen a fase de fabricación masiva y por tanto, para finales de año o CES 2013, veamos productos con este nuevo tipo de memorias. Estamos hablando de SSDs que en tamaño de 2,5 pulgadas podrían alcanzar tamaños de 2 Tbytes.

La reducción en la tecnología de fabricación trae consigo una mejora en tamaño físico de los chips NAND y por tanto, brinda la posibilidad de integrar más en la misma superficie.

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