Samsung empieza la producción de DDR4 a 20nm

La división Samsung Electronics del gigante coreano ha dado el pistoletazo de salida a la producción en masa de chips de DDR4 de 8 Gb fabricados en proceso de 20nm, utilizados en módulos con una capacidad de 32 GB y dirigidos al sector empresarial.

Estos nuevos chips se suman a los de 4 Gb y 6 Gb LPDDR3 que ya fabrican los coreanos bajo el mismo proceso de 20nm, y llegan para cubrir las necesidades de aquellos que demandaban una mayor capacidad por módulo bajo este nuevo proceso de fabricación.

Jeeho Baek, Vice Presidente de la división de memoria de Samsung, comentó que:

«Nuestros nuevos chips [pajarito]DDR4 de 8 Gb a 20nm[/pajarito] cumplen sobradamente los requerimientos de alto rendimiento, alta densidad y eficiencia energética que se necesitan en los servidores empresariales de nueva generación […] Expandiendo nuestras líneas de producción de 20nm somos capaces de proporcionar productos DRAM de alta densidad de calidad premium, y podemos cumplir con la creciente demanda de este tipo de productos».

Estos nuevos chips ofrecen una mejora de rendimiento de hasta un 29% frente a sus homónimos en DDR3, gracias a sus frecuencias de trabajo de hasta 2.400 Mhz, además de ofrecer una eficiencia sensiblemente mayor (alrededor de un 30% más).

Más información ⇒ Samsung.