La compañía japonesa Buffalo presentó al mercado los primeros módulos de memoria DDR3 que aumentan las velocidades de procesamiento hasta los 2400MHz acelerando de forma drástica los accesos a memoria RAM. Entre sus características no solamente destaca la velocidad sino también el bajo consumo de energía. Estos resultados se consiguen gracias a los chips producidos por Elpida con interconexiones de cobre.

El proveedor líder de componentes en Japón, Buffalo, ha presentado formalmente los primeros módulos de memoria DDR3 con frecuencias sin precedentes hasta la fecha, 2400MHz. Por el momento se trata de los primeros prototipos, pero según la compañía no tardarán mucho en comenzar a producir en cadena estos nuevos módulos.

Para lograr semejantes resultados los ingenieros de Buffalo han incorporado chips producidos por Elpida con interconexiones de cobre, considerablemente superiores a los que se usan en la actualidad para crear los módulos de memoria.

El prototipo ha logrado funcionar de forma estable a 2400MHz sin ningún problema, aunque han tenido que relajar las latencias y subir el voltaje hasta niveles poltencialmente inestables: 2.1v.

A pesar de que en teoría es necesario aumentar el voltaje de forma drástica para conseguir un aumento tan drástico de frecuencia, otra característica de estas memorias es su diseño optimizado, lo que se materializa en un bajo voltaje, 1.5v a 2096MHz para el estándar de las memorias DDR3. Falta por saber cuando se producirá el lanzamiento y cuanto costarán, este último factor muy importante en un mercado muy competitivo.