Samsung acelera la producción de memorias DDR3 de 20 nanómetros

Samsung ha comenzado a producir en masa sus nuevas memorias DDR3 de 20 nanómetros.

En ellas se está utilizando litografía de inmersión ArE para mejorar el escalado de DRAM. Como cada celda cuenta con un condensador y un transistor conectados entre sí, el escalado es más difícil que con una memoria NAND Flash en la que una celda solo necesita un transistor. Para continuar escalando el DRAM más avanzado, Samsung las ha rediseñado con un patrón doble modificado y la deposición de capas atómicas.

Esta tecnología modificada de doble patrón permite la producción de DDR de 20 nanómetros utilizando equipamiento actual de litografía, y también posibilita la llegada de la próxima generación de memorias RAM de 10 nanómetros.

Asimismo, Samsung emplea en estas memorias capacitadores de celdas dieléctricas ultrafinas con una homogeneidad inédita hasta ahora, lo que da como resultado celdas con un mayor rendimiento.

Según la compañía, los nuevos módulos de memorias DDR3 de 20 nanómetros pueden ahorrar hasta el 25% de energía consumida por módulos equivalente fabricados utilizando la anterior tecnología de procesos de 25 nanómetros.