Samsung anuncia las SSD QLC y Z-NAND de segunda generación

Samsung ha anunciado importantes novedades en sus próximos productos de memoria y almacenamiento en su evento Samsung Tech Day, como el lanzamiento de los primeros SSD QLC y la segunda generación de las Z-NAND. 

El segmento del almacenamiento está cambiando rápidamente a medida que las nuevas memorias flash más densas y baratas llegan al mercado. Samsung produjo los primeros SSD con tecnología 3D NAND de la industria, lo que le otorgó una gran ventaja que ha aprovechado para ocupar una posición de liderazgo. Curiosamente, la compañía se ha rezagado en la nueva tecnología QLC frente a competidores como Intel y Micron. En un anuncio lateral, comentad que ayer se conoció que Micron comprará a Intel la joint venture de memorias, IM Flash.

Samsung va a su ritmo y cree que es el momento de lanzar estas SSD QLC. Como sabes, es una evolución de las TLC actuales que permite almacenar cuatro bits por celda. Más allá de los detalles técnicos, permite aumentar la densidad creando unidades de mayor capacidad al mismo precio. La desventaja de QLC frente a las primeras tecnologías SLC (un bit por celda) y MLC (dos bits por celda) son propias de su diseño, disminuyendo la resistencia de las células de la memoria y el rendimiento teórico.

A efectos prácticos, el consumidor recibirá una unidad con mejor relación precio/GB. Podremos comprar una unidad de 500 GB al precio de una de 250 GB (como ya ha sucedido en el último año), pero con menos resistencia y rendimiento. Todo esto sobre el papel, porque los fabricantes están afrontando estas desventajas con nuevas tecnologías que nivelan el desgaste de las células de memoria y mejoran la corrección de errores, mientras que usan líneas específicas de memoria caché en SLC y otras técnicas para intentar mantener el rendimiento.

Samsung SSD QLC

El aumento de densidad (poner más células de memoria en el mismo espacio) es clave en todo el proceso de fabricación y el paso a tecnologías QLC, Samsung lo va a acompañar con un importante incremento del número de capas que se pueden apilar bajo el conocido proceso 3D V-NAND que prácticamente emplea toda la industria. Si hasta ahora el número máximo estaba en 64 la quinta generación tendrá 90 capas.

La hoja de ruta de Samsung contempla generaciones futuras de la 6 a la 10 para la próxima década. Las próximas superarán las 100 capas y las últimas alcanzarán la friolera de 500 capas. Un aumento impresionante de la densidad que tiene como máximo objetivo servidores y centros de datos en una entrada de SSD que se terminará produciendo más temprano que tarde al igual que ha sucedido en consumo.

Samsung ha mostrado otros detalles técnicos incluyendo la segunda generación de las Z-NAND, éstas en SLC y MLC, pero duplicando la densidad y mejorando el rendimiento y la latencia.

Lo que más nos puede interesar son los modelos que pondrá a la venta bajo estas tecnologías. Las nuevas SSD QLC se comercializarán en modelos como 860 QVO SATA SSD para gran consumo, la BM991 NVMe SSD para el mercado profesional y variantes como BM1733 BM9A3 bajo PCIe y el BM1653 que se conecta a través de SAS y que ofrecerán capacidades de almacenamiento alucinantes de hasta 32 Tbytes.

Otro de los actualizados será el 970 EVO Plus con V5 TLC NAND, capacidad de hasta 2 Tbytes y mejorando el rendimiento. La SSD más interesante de las anunciadas ha sido la 980 QVO NVMe, para PCs de grado entusiasta, con alta capacidad y un rendimiento superior a los 3 GB/s. Samsung anunciará próximamente la actualización de catálogo con estas SSD QLC, modelos, especificaciones completas y precios.