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Nanotubos de carbono, nuevo aliado en la reducción de transistores

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Nanotubos de carbono, nuevo aliado en la reducción de transistores 28

Dentro del mundo de los semiconductores la Ley de Moore ha jugando un papel muy importante durante los últimos años, pero su mantenimiento plantea serias dudas según nos vamos acercado a los límites físicos que plantean la continua reducción de tamaño de los transistores, un problema que podría encontrar respuesta en los nanotubos de carbono.

Dicha tecnología sería la clave que permitiría superar el límite que impide reducir más allá de un determinado tamaño, según ha comentado IBM, en la que se utilizarían nanotubos de carbono paralelos que conectarían con cables de metal ultradelgados, una técnica que permitiría seguir reduciendo el tamaño de los cables sin aumentar la resistencia eléctrica de los mismos.

Con ello se supera uno de los grandes retos que implica la continua reducción de proceso, la resistencia eléctrica, que junto al calor actúa como elemento limitante en la velocidad de trabajo de los chips, que como sabemos están fabricados con transistores.

Sí todo va bien dentro de diez años se podrían conseguir reducciones importantes, como por ejemplo llevar el punto de contacto de dos materiales a los 40 átomos de ancho, y tres años después podrían hacer lo propio reduciendo a 28 átomos de ancho.

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Un avance importante, sin duda, ya que según IBM podría escalar hasta procesos de 1,8nm, y en el que como anticipamos una de las claves principales seguirá siendo la reducción de la resistencia eléctrica para poder garantizar la vida útil del conjunto, y quizá incluso permitir un aumento de velocidades de trabajo.

Más información: New York Times.

Editor de la publicación on-line líder en audiencia dentro de la información tecnológica para profesionales. Al día de todas las tecnologías que pueden marcar tendencia en la industria.

5 comentarios
  • IBM demostrando como siempre lo grande que es como empresa investigadora.

  • Rodhos

    1 átomo de H =~ 0.05nm
    40 átomos =~ 2nm
    28 átomos =~ 1.4nm

  • Warheart

    Naaaa….me consta que esto es algo que tiene varios años de estarse investigando en diferentes universidades de USA, este articulo no me presenta nada novedoso, y de hecho, se omite la principal limitante de la miniaturizacion actual de la tecnologia del silicio, que es el voltaje de umbral.

  • More documentacion pls m8

  • 😀

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