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Toshiba desarrolla la primera memoria 3D NAND Flash con tecnología TSV

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El gigante japones ha confirmado que ha logrado desarrollar con éxito la primera memoria 3D NAND Flash con tecnología TSV, un avance muy importante que marca un punto de inflexión en uno de los sectores más importantes que existen actualmente en la electrónica de consumo general.

La memoria 3D NAND Flash se caracteriza por estar apilada en vertical, una diferencia importante frente a la memoria 2D que como sabemos está colocada en horizontal. La principal ventaja de la primera frente a la segunda es que se reduce el espacio físico necesario para alcanzar una determinada capacidad de almacenamiento.

Un ejemplo claro de esa idea la tenemos en el mercado de la memoria para tarjetas gráficas. Los modelos con memoria HBM apilada en 3D utilizan un PCB mucho más pequeño que aquellas que cuentan con chips de memoria GDDR5 y GDDR5X distribuidos en horizontal.

Pues bien, la tecnología TSV (siglas de Through Silicon Via, que significa «a través del silicio) implica el uso de electrodos y vías que recorren en vertical las capas de memoria 3D integradas en un chip, proporcionando todas las conexiones necesarias y ofreciendo una mayor velocidad en las comunicaciones y un menor consumo.

Los primeros prototipos están fabricados con el proceso de 48 capas de Toshiba, son de tipo TLC (tres bits por celda) y serán mostrados públicamente en el evento Flash Memory Summit de 2017 que se celebrará en Santa Clara.

Según ha confirmado Toshiba esperan poder alcanzar densidades de hasta 1 TB en unidades de almacenamiento con un único encapsulado.

Más información: TechPowerUP!

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