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SSD ultra rápidos de Samsung
El gigante de la fabricación de semiconductores ha desarrollado una nueva unidad SSD de 100 Gbytes de 2,5 pulgadas que ofrece tasas de lectura secuenciales de 230 Mbytes por segundo, y escrituras de 180 Mbytes por segundo. Se trata de una de las unidades más rápidas del mercado actual, sólo superada por los modelos X25-E de Intel que llegan a los 250 Mbytes por segundo, aunque en este caso la capacidad llega sólo a 64 Gbytes.
El gigante de la fabricación de semiconductores ha desarrollado una nueva unidad SSD de 100 Gbytes de 2,5 pulgadas que ofrece tasas de lectura secuenciales de 230 Mbytes por segundo, y escrituras de 180 Mbytes por segundo. Se trata de una de las unidades más rápidas del mercado actual, sólo superada por los modelos X25-E de Intel que llegan a los 250 Mbytes por segundo, aunque en este caso la capacidad llega sólo a 64 Gbytes.
La idea de Samsung es la de ofrecer alternativas a las empresas, sobre todo a la hora de sustituir unidades SCSI/SAS a 15.000 RPM, ya que estas nuevas unidades SSD tienen un alto precio que compensa sus prestaciones. Según Samsung, los nuevos modelos ofrecen una ejecución de IOPS más de 10 veces más rápido que el más veloz de los discos SAS.
El desarrollo de Samsung hace uso de 8 canales paralelos para transferir los datos entre los chips de memoria NAND Flash y el controlador de estos discos, mientras que por ejemplo la unidad X25-E de Intel hace uso de 10 canales de este tipo. Eso hace que la solución de Intel ofrezca picos teóricos más altos de hasta 250 Mbytes por segundo en lectura secuencial, por 230 Mbytes por segundo de la unidad de Samsung.
Además de estas velocidades la solución de Samsung ofrece un sistema de cifrado interno y consume 1,9 vatios en modo activo y 0,6 vatios en modo de inactividad, mientras que los discos SAS típicos para empreas consumen entre 8 y 15 vatios en modo activo y entre 1 y 2 vatios en modos de inactividad. Las unidades SS805 aún no tienen precio confirmado, pero creednos, no estarán al alcance de cualquiera.