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Samsung presenta DDR3 de 32GB

La corporación coreana, líder mundial en productos electrónicos de consumo, ha sido la primera en presentar un módulo de memoria DDR3 con capacidad de 32 Gbytes y un voltaje de 1,35 V. Enfocado al segmento de servidores, su tecnología de fabricación y densidad abre las puertas a la futura llegada de módulos de 16 Gbytes para el mercado de estaciones de trabajo profesionales y de sobremesa de gama entusiasta de hasta 96 Gbytes de memoria y de equipos portátiles de gama alta con 16 Gbytes de RAM.

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La corporación coreana, líder mundial en productos electrónicos de consumo, ha sido la primera en presentar un módulo de memoria DDR3 con capacidad de 32 Gbytes. Enfocado al segmento de servidores, su tecnología de fabricación y densidad abre las puertas a la futura llegada de módulos de 16 Gbytes para el mercado de estaciones de trabajo profesionales y de sobremesa de gama entusiasta, y módulos de 8 Gbytes de memoria para equipos portátiles.

 

Los módulos de Samsung operan a 1,35 voltios, reduciendo el valor fijado por el estándar SDRAM DDR3 en un 20 por ciento, lo que disminuye el consumo de los chips en los centros de datos y servidores a donde va dirigido este tipo de componente.

 

 

No será el único segmento del mercado donde tendrán cabida, ya que el proceso tecnológico empleado para lograr una capacidad tan alta de memoria podrá emplearse en máquinas de sobremesa y portátiles. Al ritmo que va la industria, no será raro ver en los próximos meses estaciones de trabajo profesionales y máquinas de gama entusiasta con 96 Gbytes de RAM, empleando este tipo de tecnología para integrar módulos de 16 Gbytes en placas X58 con triple canal de memoria.

 

Igual para portátiles, con módulos SoDIMM de 8 Gbytes que parecen al alcance tras el diseño de Samsung. El único problema, su coste. No se ha avanzado precios para el módulo de 32 Gbytes pero debe ser realmente caro. Es probable que no veamos disponibles estas memorias hasta principios de 2010, pero sin duda suponen un paso más en la evolución de estos componentes.

 

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