La memoria QLC de Toshiba iguala en resistencia a la memoria TLC

En este artículo ya os hablamos de los avances de Toshiba con la memoria 3D NAND Flash y el salto a la tecnología QLC (Quad Level Cell), que en una traducción bien ajustada hace referencia a que permite almacenar cuatro bits por celda.

Es una diferencia importante frente a la memoria TLC (Triple Level Cell), que permite almacenar tres bits por celda, y aún más si comparamos con MLC (Multi Level Cell) y SLC (Single Level Cell), que son capaces de almacenar dos bits y un bit por celda, respectivamente.

Una de las ventajas más importantes que tiene el salto a la memoria QLC es que permite elevar la capacidad de almacenamiento y abaratar considerablemente los costes, pero tiene una desventaja importante y es que acelera el deterioro de las unidades de almacenamiento reduciendo su vida útil.

Esto ocurre porque en las unidades SLC la memoria trabaja con dos estados de voltaje, cifra que se eleva a cuatro en las MLC, a ocho en las TLC y a dieciséis en las QLC.

Imagen cortesía de Anandtech.

Sin embargo Toshiba ha confirmado que ha sido capaz de superar todas las expectativas y que su memoria 3D NAND Flash QLC es capaz de igualar los 1.000 ciclos de programado/borrado que tiene la memoria TLC, un dato muy positivo ya que supera de largo los entre 100 y 150 ciclos que preveían los grandes de la industria.

No tenemos nada claro cómo ha sido capaz la compañía japonesa de lograr ese importante avance, pero desde luego es más que suficiente para que la tecnología QLC pueda convertirse en el próximo gran estándar utilizado en unidades SSD de bajo coste y alta capacidad.

Se espera que la nueva memoria 3D NAND Flash de tipo QLC de Toshiba entre en producción entre finales de 2018 y principios de 2019.

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