TSMC a por los 3 nm en 2020, nos acercamos al límite del silicio

Morris Chang, fundador de TSMC, ha confirmado que su empresa está iniciando todos los preparativos para iniciar la construcción de una fábrica centrada en el proceso de 3 nm, una instalación que se establecerá en el Southern Taiwan Science Park en 2020.

Es un proyecto muy ambicioso por todo lo que tiene detrás. Por un lado debemos tener en cuenta que una fábrica dedicada a producir chips en proceso de 3 nm requiere de una gran cantidad de espacio y de recursos, tanto energéticos como en materia de agua y de terreno.

Por otro lado no debemos olvidar la enorme inversión en maquinaria avanzada que requiere la construcción de una fábrica de este tipo. Para producir obleas de chips en proceso de 3 nm es indispensable abandonar la litografía óptica por inmersión tradicional y apostar por la litografía ultravioleta extrema.

En este artículo ya hablamos sobre el tema de la litografía ultravioleta extrema, sus usos y los plazos de suministro, así que os invitamos a echarle un vistazo ya que complementa a la perfección la información que os estamos dando hoy.

El salto al proceso de 3 nm nos permitirá dar un importante salto tecnológico y tendrá consecuencias positivas tanto a nivel productivo (más chips por oblea) como de consumo y de rendimiento, pero al mismo tiempo nos llevará directamente a los límites teóricos del silicio.

Dado que la construcción de esa fábrica está marcada para 2020 es sensato pensar que no veremos los primeros chips fabricados en proceso de 3 nm hasta algunos años después, aunque es importante tener en cuenta que todo depende de los principales gigantes del sector, entre los que podemos destacar nombres como Intel y ARM.

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