Samsung inicia la producción en masa de HBM2

El gigante surcoreano ha iniciado la producción en masa de chips de memoria HBM2 en proceso de 20nm, empezando con versiones de 4 GB que tienen un ancho de banda de 256 GB por segundo.

La diferencia de ancho de banda llega a ser del doble si la comparamos con la memoria HBM de primera generación, pero si centramos la mirada en la memoria GDDR5 vemos que la HBM2 tiene un ancho de banda siete veces superior.

¿Y qué hay de la eficiencia? Pues también hay una mejora clara, ya que según Samsung la HBM2 ofrece el doble de ancho de banda por vatio que la GDDR5, y cuenta además con tecnologías avanzadas como por ejemplo ECC (error-correcting code).

Estos chips de 4 GB están destinados especialmente a sistemas HPC (equipos de alta potencia), así como en servidores y soluciones gráficas de alto rendimiento, aunque la firma coreana ha confirmado que la producción de variantes con 8 GB comenzará a finales de este mismo año.

Como sabemos la memoria HBM debutó este mismo año en las Radeon Fury, Fury X y Nano de AMD, consiguiendo en general un buen resultado, aunque sin llegar a ser la revolución que algunos pintaban.

En la próxima generación de tarjetas gráficas tope de gama se espera que tanto NVIDIA como el gigante de Sunnyvale apuesten por la memoria HBM2, mientras que sus soluciones de gama alta podrían utilizar GDDR5X.

Finalmente las gamas medias mantendrían el uso de memoria GDDR5, y las gamas bajas GDDR5/DDR3.

Más información: DvHardware.