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Samsung prepara los 7 nm para 2018, el año del Galaxy S9

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Kinam Kim, CEO de la división de semiconductores de Samsung, ha confirmado que el gigante surcoreano está preparando el terreno para lanzarse de lleno a los 7 nm, un proceso de producción que en teoría tendrá listo en 2018, año en el que como sabemos se producirá el lanzamiento del Galaxy S9.

Es un avance tan importante como complicado, ya que nos estamos moviendo en los límites naturales del silicio, y además los medios de producción actuales no permiten conseguir un nivel razonable de costes al llegar a un umbral determinado.

La razón es muy sencilla, en los procesos de fabricación se utilizan obleas de silicio de las que salen un determinado número de chips en función de la escala utilizada. Si el proceso en una determinada escala no está lo bastante maduro es muy posible que nos salgan muchos chips defectuosos, lo que supone un alto nivel de costes que complica, y mucho, las reducciones efectivas de nanómetros.

Samsung ha confirmado que el uso de la tecnología de litografía ultravioleta extrema ayudará a dar el salto a los 7 nm, y que durante 2017 se centrarán en seguir madurando el proceso de fabricación en 10 nm, que será el que utilizará el SoC Exynos 8895 que dará vida al Galaxy S8, y probablemente también al Galaxy Note 8.

¿Y qué ventajas tiene la reducción de escala nanométrica? Reducir a una menor cantidad de nanómetros permite crear soluciones más eficientes, frescas y capaces de trabajar a frecuencias mayores sin que ello implique elevar el calor generado ni el consumo frente a generaciones anteriores.

Esto quiere decir, en resumen, que el SoC del Galaxy S9 será más fresco, eficiente y potente que el del Galaxy S8.

Más información: PhoneArena.

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