El dióxido de vanadio promete revolucionar la electrónica

El dióxido de vanadio promete revolucionar la electrónica
6 de febrero, 2018

Un grupo de científicos del Instituto Federal Suizo de Tecnología de Lausana (EPFL, en Suiza) han descubierto que el dióxido de vanadio tiene propiedades que abren un nuevo mundo de posibilidades en el sector de la electrónica.

Los expertos confirmaron en un artículo que el dióxido de vanadio podría superar al silicio y ser utilizado para crear una nueva generación de productos electrónicos, aunque han destacado que dicho material podría dar lo mejor de sí sobre todo en sistemas de comunicación espacial, computación neuromórfica y radares de alta frecuencia.

Esto nos lleva al sector científico, aeroespacial y profesional y nos aleja de las soluciones de consumo general, pero obviamente no significa que por ello debamos restar importancia al descubrimiento.

¿Por qué es un material tan interesante?

Principalmente porque se comporta como un aislante a temperatura ambiente, pero también como un conductor a temperaturas superiores a 68 grados Celsius. Ese cambio de aislante a conductor se produce porque a esas temperaturas el material cambia de una estructura atómica cristalina a una metálica. Este cambio de propiedad se llama “transición metal-aislante” o “MIT” por sus siglas en inglés.

En el dióxido de vanadio el cambio se produce en menos de un nanosegundo, lo que significa que es prácticamente instantáneo y que por tanto es viable en el campo de la electrónica, donde cada fracción de segundo puede ser vital.

Los expertos han confirmado además que el dióxido de vanadio puede retrasar la activación del “MIT” hasta los 100 grados Celsius cuando se combina con germanio, un detalle muy interesante que sin duda amplia sus posibilidades.

Por otro lado este material también es sensible a otros factores que podrían hacer que cambie de fase como por ejemplo la inyección directa de energía eléctrica o la aplicación de un pulso de radiación THz, según Adrian Ionescu, profesor de EPFL y director del laboratorio de dispositivos nanoelectrónicos del centro.

Este proyecto de investigación todavía tiene mucho camino por delante pero sus responsables están de enhorabuena ya que han recibido una nueva subvención por parte de la UE que les permitirá continuar como mínimo hasta 2020.

Más información: Hexus.

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