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Samsung confirma el desarrollo de chips de 8 Gb de LPDDR5 a 10 nm

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El gigante surcoreano es mucho más que un simple vendedor de smartphones y de electrodomésticos. Su división de semiconductores es una de las más importantes del mundo, y el desarrollo del primer chip de 8 Gb de LPDDR5 en proceso de 10 nm no hace más que confirmar esa realidad.

Con este anuncio Samsung ha mantenido la corona en el sector, ya que también fue el primero en anunciar (en 2014) el primer chip de 8 Gb de LPDDR4. Dicha solución supuso una transición importante, pero la memoria LPDDR5 tiene una importancia aún mayor porque está llamada a convertirse en uno de los componentes clave para el despegue del estándar 5G y de la inteligencia artificial avanzada.

La producción en masa de los chips de 8 Gb de memoria LPDDR5 a 10 nm es ya una realidad, pero os recordamos que Samsung también está fabricando otro tipo de soluciones fundamentales para la industria tecnológica a corto plazo, entre las que podemos destacar la memoria HBM2 Aquabolt y los chips de 16 Gb de memoria GDDR6.

Memoria LPDDR5: ¿cómo marca la diferencia?

Como sabrán la mayoría de nuestros lectores el salto a un nuevo estándar de memoria DRAM suele implicar dos grandes cambios: mayor rendimiento y mayor eficiencia, y en este caso no estamos ante una excepción que confirme la regla.

Samsung ha conseguido elevar las velocidades de transferencia hasta los 6.400 Mb/s, una cifra que supera de largo a la solución más potente que existe actualmente en el sector (LPDDR4X a 4.266 Mb/s). Para trabajar a esa velocidad utiliza un voltaje de 1,1 voltios, pero puede trabajar a 1,05 voltios manteniendo una velocidad de 5.500 Mb/s, lo que la convierte en una solución versátil que puede adaptarse a las prioridades de cada fabricante.

Estos avances en términos de rendimiento y de consumo han sido posibles gracias a la introducción de mejoras importantes a nivel de arquitectura, como por ejemplo la duplicación del número de subdivisiones dentro de cada celda de memoria DRAM (de 8 a 16). También se han introducido mejoras a nivel de circuitería para garantizar un rendimiento y un consumo estables.

Mayor eficiencia para una autonomía superior

El rendimiento importa pero hablamos de una solución dirigida a dispositivos móviles y el consumo es por tanto fundamental. La memoria LPDDR5 de Samsung está fabricada en proceso de 10 nm, un salto que por sí mismo permite reducir el consumo y mejorar la eficiencia, pero la reducción del proceso de fabricación no es la única novedad importante.

Samsung ha introducido un sistema que ajusta la velocidad de trabajo de la memoria de forma automática en función de la velocidad de trabajo del procesador (CPU) del equipo. Esto quiere decir que cuando dicho componente trabaja a plena máquina la memoria también lo hace, y cuando no se adapta para reducir el consumo.

A esto debemos añadir otro valor importante, y es que se ha configurado para evitar sobrescribir celdas con valores “0” y cuenta con un modo de “suspensión profunda”, que reduce el consumo de energía a aproximadamente la mitad frente al “modo inactivo” presente en la memoria LPDDR4X. En conjunto todo esto permitirá que la memoria LPDDR5 consuma hasta un 30% menos.

¿Qué terminales serán los primeros en utilizarla?

Por línea temporal podemos dar por hecho que no veremos esta memoria en el Galaxy Note 9. Su lanzamiento esta a la vuelta de la esquina y Samsung no podrá ofrecer un suministro a la altura para cubrir las necesidades que tendría con dicho terminal.

Esto nos lleva a pensar directamente en los Galaxy S10 y Galaxy Note 10, aunque puede que por cuestiones productivas y para evitar problemas de suministro ante una demanda muy elevada la compañía surcoreana decida reservarla en exclusiva para el Galaxy Note 10.

Os recordamos que el Galaxy Note 9 será presentado el 9 de agosto y que los Galaxy S10 debutarán en el primer trimestre de 2019.

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