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Intel meterá más transistores en 7 nm que Samsung en 3 nm

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Para hablar de transistores y no perdernos antes debemos tener claro qué es un procesador y qué elementos lo forman. Si tienes dudas te invito a echar un vistazo al artículo que te he dejado en el enlace anterior, ya que encontrarás toda la información que necesitas, con referencias concretas a arquitecturas de Intel y de AMD.

Los transistores están íntimamente relacionados con el proceso de fabricación. Como sabrán muchos de nuestros lectores el salto de un proceso a otro implica una reducción que afecta al tamaño de éstos. Así, el tamaño de los transistores en procesadores de 22 nm es mayor que el de los procesadores de 14 nm, lo que significa que un chip fabricado en un proceso mayor tiene un menor número de transistores por pastilla de silicio que otro fabricado en un proceso menor.

No es una cuestión difícil de explicar, cuando los transistores son más pequeños podemos integrar una mayor cantidad de ellos en cada pastilla de silicio, y esto normalmente permite la creación de chips más potentes. Sin embargo el proceso de fabricación no es lo único que importa cuando hablamos de transistores y semiconductores, también hay que tener en cuenta la complejidad del diseño de cada chip y la arquitectura.

Por ejemplo, los procesadores Ryzen 3000 de AMD han dado el salto al proceso de 7 nm, pero lo han conseguido con un diseño MCM (módulo multi chip) que resulta mucho más sencillo que el diseño de núcleo monolítico de Intel. Al reducir la complejidad del chip se facilita la transición a procesos más pequeños y se aumenta la tasa de éxito por oblea lo que redunda, en definitiva, en una reducción de costes que hacer que un determinado diseño sea viable tanto técnica como económicamente.

Esto significa que un proceso inferior permite la creación de chips con un mayor número de transistores, pero no es una máxima que tenga que cumplirse siempre. Un ejemplo claro lo tenemos en el proceso de Samsung en 3 nm y el proceso de Intel de 7 nm. A priori puede parecer que el primero debería dar forma a procesadores con un mayor número de transistores, pero ocurre todo lo contrario.

Con el proceso de 3 nm se fabricarán procesadores y soluciones para dispositivos móviles, chips menos complejos que los procesadores de Intel. Esa diferencia permitirá al gigante de Santa Clara imponerse a la firma surcoreana con el proceso de 7 nm, y de forma notable, ya que en principio podrán producir chips que superará en un 33% la densidad de transistores del proceso Samsung.

Intel todavía tiene mucho camino por delante, de hecho todavía no ha logrado producir en masa una generación completa de procesadores en 10 nm, pero esta sencilla comparativa nos permite entender un poco mejor la complejidad de los diseños que afronta la compañía de Santa Clara.

Editor de la publicación on-line líder en audiencia dentro de la información tecnológica para profesionales. Al día de todas las tecnologías que pueden marcar tendencia en la industria.

3 comentarios
  • Álvaro Lázaro Laín

    En resumen, Intel lo hace mejor; pero sólo cuando hay competencia y ve las orejas al lobo.

  • Gregorio Ros

    Cuando se comenta la densidad de integración se peca a generalizar 10nm, 14nm, 3nm,… pero eso es demasiado genérico. Los transistores/puertas tienen tres dimensiones, p.e. es posible usar 3nm en una dimensión y 10nm en las otras, no tiene que ser obligatoriamente 3-3-3. Luego supongo que se podrán crear los transistores usando una forma mas vertical que horizontal, aumentando también la densidad de integración. Ojo con esto último, que no me refiero a multicapa, que también podría ser, sino a como crear el transistor en la misma capa.

  • LOL

    En definitiva Intel y sus refritos de 14 nm parcheables por software.

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