¿Módulos DDR3 de 16 Gbytes?

Samsung ha anunciado el desarrollado del primer chip de memoria de 4 gigabits (1 Gbyte) DDR3 SDRAM, que ha sido construido basándose en un proceso de manufactura de 50 nanómetros, con lo que podría llegar a nada menos que 8 Gbytes por módulo en equipos portátiles, el doble de lo que actualmente es posible. El fabricante coreano cree que basándose en la misma tecnología producirá módulos de memoria de 16 Gbytes para ser utilizados en estaciones de trabajo y servidores.

La gente de Electronista ha comentado que el proceso de fabricación también reduce la cantidad de energía necesaria para el funcionamiento de estos chips y por tanto la generación de calor, un aspecto fundamental en equipos compactos y portátiles. Samsung ha logrado que la memoria DDR3 sea más eficiente, ya que hay un 20% de ahorro de energía comparado con un chip de 2 gigabits, que se eleva hasta un 40% en un módulo de 16 Gbytes. Además, es más rápida que un único chip transfiriendo datos a una velocidad de hasta 1,6 gigabits por segundo.

Todavía no hay fecha para la producción de estos chips de manera masiva y que por lo tanto empecemos a verlos en portátiles, servidores y equipos de sobremesa, pero hay que decir que Samsung ya alcanzó la marca de 2 Gbytes de memoria con tecnología de 50 nanómetros en septiembre del año pasado.