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La mitad de los SSD Micron utilizarán TLC en 2016

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La mitad de los SSD Micron utilizarán TLC en 2016 30

Durante la última reunión con los inversores para evaluar los resultados del trimestre Micron ha asegurado que a finales de 2016 la mitad de sus SSDs utilizarán TLC (triple level cell flash), lo que sugiere que ya habrían resuelto los problemas que le impedían masificar la producción de unidades basadas en dicho tipo de memoria NAND Flash.

Por lo general Micron ha venido utilizando controladores Marvell acompañados de un firmware propio, pero sufría problemas que afectaban a la estabilidad, fiabilidad y rendimiento de los dispositivos SSD TLC, complicaciones que en definitiva ya parecen cosa del pasado.

La memoria NAND Flash TLC se caracteriza por almacenar tres bits de datos por célula flash, mientras que las tecnologías SLC y MLC (single level cell y multi level cell) permiten almacenar uno y dos bits de datos por célula, respectivamente.

Esto supone que con la adopción de este tipo de memoria es posible crear unidades SSD de mayor tamaño y más económicas, ya que se reduce la cantidad de células flash requeridas para almacenar la misma cantidad de información.

Como anticipamos la memoria TLC ha sido criticada ampliamente por razones de fiabilidad y rendimiento, ya que aunque permite SSDs más económicos rinde menos y falla más que la memoria MLC, pero afortunadamente estos problemas se habrían podido corregir con la implantación de un nuevo conjunto de tecnologías.

Más información: DvHardware.

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