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Almacenamiento óptico de IBM, 50 veces más rápido

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Como sabemos el uso de memoria NAND Flash como principal en el sistema no es viable debido a lentitud de la misma, por ello utilizamos memoria RAM, que sin embargo resulta más cara y a diferencia de aquella es volátil. El almacenamiento óptico de IBM podría ser una solución que suceda a ambos elementos, pero su coste no lo hacía viable, hasta ahora.

Antes de entrar en materia vamos a aclarar qué es esta tecnología de almacenamiento óptico de IBM a la que hacemos referencia. Hablamos de un medio de almacenamiento basado en lo que se conoce como memoria de cambio de fase (PCM), cuyas propiedades permiten unir lo mejor de los dos mundos, es decir, de las memoria RAM y NAND Flash, ya que es muy rápida y no es volátil.

¿Cómo funciona el almacenamiento óptico con memoria de cambio de fase? Se utilizan corrientes altas o medias para grabar información sobre el medio óptico y un bajo voltaje para realizar tareas de lectura. Los datos se reconocen en función de la conductividad, de manera que si la misma es alta se identifica un «1» y si es baja un «0».

Hasta ahora no era posible incrementar la cantidad de bits almacenados por celda debido a que era necesario calentar el soporte y ello podía afectar a su correcto funcionamiento, una barrera que finalmente han logrado superar haciendo un seguimiento y codificando las variaciones que se producían, alcanzando así un máximo de 3 bits por celda.

Esto reduce los costes de fabricación en gran medida y abre las puertas a la llegada de esta tecnología al mercado general de consumo, donde podría utilizarse por ejemplo en unidades de almacenamiento híbridas junto con memoria NAND Flash.

Podemos citar por ejemplo la creación de módulos de almacenamiento para smartphones, en los que el sistema operativo estaría integrado en la memoria de cambio de fase y el resto de aplicaciones en la porción SSD. Gracias a esto el sistema operativo arrancaría casi al instante, ya que la memoria PCM puede leer información en menos de 1 microsegundo, mientras que la memoria Flash tarda 70 microsegundos.

Más información: IBM.

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