Crean transistores más rápidos y flexibles para wearables

Los gadgets de vestir son parte de nuestro futuro a corto plazo, al menos en lo que a tecnología se refiere, pero todavía quedan algunas limitaciones que superar antes de que podamos llegar a utilizar este tipo de soluciones de una forma más cómoda y eficaz, y en este sentido los transistores flexibles son uno de los pilares más importantes.

Un grupo de investigadores de la Universidad de Wisconsin en Estados Unidos ha conseguido gran avance que podría tener un impacto considerable dentro del mundo de los gadgets de vestir, ya que han sido capaces de idear un método que permite producir transistores flexibles y extremadamente rápidos.

La base de los mismos continua siendo el silicio, pero en su fabricación se utilizan haces de electrones con los que crear moldes con los patrones que se requieran, además de cuchillos muy pequeños para grabar minúsculas franjas en esos patrones.

El resultado de todo esto es, como anticipamos, un transistor de silicio flexible y de tamaño contenido que puede comunicarse de forma inalámbrica y que además podría trabajar a velocidades de hasta 110 GHz.

Según han comentado los responsables del proyecto es posible hacer pequeños ajustes para que se pueda iniciar la producción en masa, ya que en teoría lo tienen todo listo para que su descubrimiento pueda saltar al mundo real.

Más información: Universidad de Wisconsin.