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Filtradas especificaciones del Snapdragon 835, volverá a los 8 núcleos

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Filtradas especificaciones del Snapdragon 835, volverá a los 8 núcleos 35

Hace unos días os confirmamos que el Snapdragon 835 iba a ser fabricado bajo el proceso de 10nm FinFET de Samsung, aunque por desgracia el comunicado oficial fue muy escueto y no pudimos daros detalles sobre las posibles especificaciones de dicho chip.

Por suerte hemos podido ver una filtración que nos ha dejado ver un anticipo bastante completo de las características más importantes de este nuevo SoC de Qualcomm, y lo primero que llama la atención es la vuelta a los 8 núcleos en la CPU.

Según esta información el Snapdragon 835 quedaría tal que así:

  • Cuatro núcleos de alto rendimiento y cuatro núcleos de bajo consumo, basados en la arquitectura Kryo 200. Los primeros podrían rondar los 3 GHz de frecuencia máxima.
  • GPU Adreno 540. No sabemos cuántos núcleos gráficos tendrá ni su frecuencia de trabajo, pero podemos intuir que será muy potente.
  • Soporte de memoria LPDDR4X a 1.866 MHz en modo de cuádruple canal.
  • Soporte de almacenamiento UFS 2.1.
  • Módem LTE 4G X16.

Su debut se produciría durante el primer trimestre de 2017, y se comenta que el primer terminal que lo montaría sería el Galaxy S8 de Samsung, un smartphone que también contará con una versión equipada con SoC Exynos 8895.

Si se cumple esta información no hay duda de que Qualcomm habrá logrado volver definitivamente al buen camino, siempre que no se repitan los problemas de sobrecalentamiento que vimos en el Snapdragon 810.

Más información: WCCFTech.

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