Samsung Galaxy S10 contará con hasta 1TB de espacio

Aún fuera de librarse de las recurrentes filtraciones, y en lugar de ofrecernos ciertos detalles a modo de adelanto como hacen otras compañías del sector, la estrategia de Samsung suele estar más enfocada a anunciar algunos componentes críticos para sus inminentes terminales, como en este caso, para su tope de gama Galaxy S10.

Y es que la compañía coreana acaba de anunciar el inicio de la producción en masa de un chip eUFS (para el almacenamiento flash interno), con la enorme capacidad de 1 terabyte. Sin embargo, más allá de la propia proeza que supone la creación de este chip, y tras los recientes anuncios de que contaremos con tres modelos distintos para el Galaxy S10, esto podría implicar la confirmación de las especificaciones de su variante más potente.

Así pues, la ampliación de la memoria flash V-NAND del Samsung Galaxy S10 «Premium» aumentaría en casi un 1000% con respecto a los 128 GB de su modelo estándar, y siendo hasta veinte veces más que el promedio de 64 GB ofrecidos por la mayoría de los teléfonos inteligentes de alta gama, algo que prácticamente eliminaría la necesidad del uso de tarjetas microSD adicionales.

Pero las ventajas de este nuevo chip interno no se limitan sólo a su almacenamiento. Según Samsung, el nuevo eUFS de 1 TB también será el más rápido, alcanzando una velocidad de lectura secuencial de hasta 1000 MB por segundo, y una velocidad de escritura secuencial de hasta 260 MB por segundo.

Por el momento sólo nos queda esperar hasta el 20 de febrero, fecha en la que se espera que toda la serie Galaxy S10, incluido este nuevo tope de gama premium, será anunciada, pero por el momento todo apunta a que podremos contar con un enorme teléfono de 6,4 pulgadas, triple cámara trasera y doble frontal, 12 GB de RAM, y ahora, 1 TB de memoria interna.