Rambus anuncia mejoras en DDR3

Rambus anuncia mejoras en DDR3
21 de septiembre, 2009

El productor y diseñador de interfaces y tecnología para memorias de alto rendimiento ha ideado una solución para el estándar DDR3 que utilizando múltiples hilos aumentará la velocidad de los equipos con microprocesadores multinúcleo. Las pruebas con un prototipo de un módulo de memoria DRAM DDR3 fabricado en asociación con Kingston, muestran mejoras en el rendimiento de un 50 por ciento y reducción del consumo en un 20 por ciento frente a los módulos de memoria convencionales DDR3.

El aumento de los sistemas de computación con múltiples núcleos requiere un mayor ancho de banda y mayores tasas de acceso aleatorio a las memorias DRAM, explican desde Rambus.

La manera que propone Rambus para solventar el cuello de botella es dotar de paralelismo al estándar DDR3 con canales independientes de 64 bits que aumentan el rendimiento en un 50 por ciento frente a los módulos convencionales.

Una demostración de este tipo de soluciones será presentada en el Intel Developer Forum 2009 que se celebra esta semana en San Francisco. Un avance antes de la llegada de DDR4, que promete un gran aumento de rendimiento con transferencia de datos a una tasa de reloj efectiva de 3.200 MHz y para la que Rambus ha propuesto la incorporación de tecnologías como FlexPhase, reduciendo la necesidad de un trazado específico en los PCBs, Dynamic-Point-to-Point (DPP), para mejora tanto de la escalabilidad como de la integridad de la señal y Octal Data Rate (ODR), que transfiere ocho bits de datos en cada ciclo de reloj.

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