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El Snapdragon 820 tendría una CPU a 3 GHz

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Qualcomm ha generado una gran polémica con el Snapdragon 810, un chip muy potente que sin embargo ha estado plagado de problemas de sobrecalentamiento, una realidad que le ha hecho perder interés rápidamente y que nos ha llevado a poner los ojos en su sucesor, el Snapdragon 820.

Tras el patinazo mencionado la compañía no tiene margen de error con su próximo silicio tope de gama, algo que según las últimas informaciones habría motivado a Qualcomm a trasladar la fabricación del mismo a Samsung en detrimento de la taiwanesa TSMC.

Con esto se aseguran el acceso al proceso de 14nm en su Snapdragon 820, lo que le permitiría ofrecer un SoC mucho más eficiente y equilibrado en términos de rendimiento y consumo, además de totalmente libre de problemas de temperatura al trabajar a máxima potencia.

Otro detalle importante es que este silicio prescindiría de los núcleos Krait en favor de unos nuevos y totalmente personalizados que, de momento, conocemos como Kyro, y que serían versiones mejoradas sobre la base de los Cortex-A72 de ARM.

Por si esto no termina de impresionar se comenta que esos núcleos trabajarían a 3 GHz, una velocidad nunca antes vista en el sector móvil, lo que nos lleva a pensar que los rumores que apuntaban que el Snapdragon 820 tendría cuatro núcleos en lugar de ocho podrían ser ciertos.

Los primeros fabricantes que estrenarían la nueva joya de la corona de Qualcomm serían HTC, Sony y Xiaomi, siendo los primeros dos de los grandes afectados por el «snapgate» del 810.

Más información: Sammobile.

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