Intel 22 nm en 2011

Intel 22 nm en 2011
23 de septiembre, 2009

IDF 2009. Paul Otellini, CEO de Intel, mostró una oblea de 300 milímetros (estándar en la industria de semiconductores) con los primeros chips funcionales construidos en el mundo mediante procesos tecnológicos de fabricación de 22 nanómetros. Además, reiteró los planes de la compañía para poner en el mercado los primeros microprocesadores con esta tecnología en 2011. Estos chips contendrán nada menos que 2.900 millones de transistores y utilizarán la tercera generación de la tecnología de fabricación de transistores high-k metal Gate.

Dos años después de presentar las primeras muestras fabricadas en 32 nanómetros, cuyos chips se pondrán a la venta a comienzos de 2010, Intel ha presentado un prototipo funcional –el primero del mundo en funcionamiento construido en procesos de 22 nm- con una densidad que dobla la de la generación de 32 nm en un área tan pequeña como una uña.

Los circuitos de prueba de 22 nanómetros incluyen la memoria SRAM y los circuitos lógicos que se usarán en los microprocesadores. Las células de SRAM de 0,108 y 0,092 micrómetros cuadrados funcionan en una matriz que totaliza 364 millones de bits y son las más pequeñas en circuitos reales que nadie ha conseguido construir.

El avance en los procesos de fabricación a 22 nanómetros permitiría al gigante del chip cumplir con la Ley de Moore, promulgada por el co-fundador de Intel y que establece que cada 18 meses se duplica el número de transistores en un circuito integrado. Para hacernos una idea, frente a los 731 millones de los Core i7 actuales, los chips de 22 nm tendrían 2.900 millones de transistores.

Además, permitiría la creación de microprocesadores más pequeños, de menor coste y consumo, aumentando de manera notable el rendimiento por vatio. Según el anuncio los primeros procesadores con esta tecnología llegarían en 2011.

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