Las memorias de cambio de fase tumban a los SSD

Las memorias de cambio de fase tumban a los SSD
3 de junio, 2011

Un equipo de investigadores de la Universidad de California en San Diego han demostrado las prestaciones de una unidad de estado sólido muy singular que en lugar de estar basada en memorias NAND Flash está basada en las nuevas memorias de cambio de fase.

Los investigadores han realizado una serie de pruebas sobre esta nueva solución y han demostrado que dichas unidades pueden ser miles de veces más rápidas que los discos duros tradicionales y hasta 7 veces más rápidas que las unidades SSD tradicionales más veloces del mercado.

Aunque las unidades SSD cada vez son más capaces, siguen siendo algo lentas para computación de alto rendimiento (HPC), de modo que en escenarios como el almacenamiento y análisis de datos científicos puedan transferirse datos a velocidades mucho más altas.

El dispositivo de los investigadores, llamado Moneta, utiliza una primera generación de chips PCM (Phase-Change Memory) que puede lograr velocidades de lectura de 1,1 Gbytes por segundo y escribir datos a 371 Mbytes por segundo.

El problema con estos dispositivos, admiten sus creadores “es que hemos detectado que podemos producir dispositivos de almacenamiento mucho más rápidos, pero para poder aprovecharlos realmente tendríamos que cambiar el software que los gestiona también“. Eso, indican estos investigadores, requiere un esfuerzo adicional que hace compleja la implantación masiva de estas soluciones.

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