SK Hynix desarrolla el primer módulo de 128 GB de RAM DDR4

SK Hynix ha dado un paso de gigante al anunciar el desarrollo del primer módulo de 128 GB de RAM DDR4, una auténtica hazaña que ha sido posible gracias al uso de chips de 8 Gb (Gigabits, no Gigabytes) de DDR4 basados en el proceso de fabricación de 20 nm.

Este módulo dobla la capacidad de los mayores módulos de DDR4 que existían hasta ahora, y se beneficia de la tecnología TSV (Through Silicon Via, «Vía a través del Silicio»).

Su frecuencia de trabajo es de 2.133 MHz con una interfaz de 64 bits, capaz de procesar hasta 17 GB de datos por segundo, todo manteniendo un voltaje de 1,2V, una bajada considerable frente a los 1,35V de las memorias DDR3.

Sin duda una buena noticia que demuestra que los grandes del sector siguen preparando el desembarco a gran escala de las memorias DDR4.

Se espera que SK Hynix inicie la producción en masa de sus módulos de 64 GB y 128 GB de RAM DDR4 durante la primera mitad de 2015.

Samsung, otro de los grandes fabricantes de memorias, también ha anunciado la aceleración de la producción de memorias DDR4, entregando formatos LRDIMMs, RDIMMs y ECC SODIMMs, en módulos con tamaños que irán de 8 a 64 Gbytes y con velocidades de 2133 a 2400 Mbps.