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Micron trabaja en memoria NAND Flash OLC, llegará este año

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La última innovación gran innovación en el sector de la memoria NAND Flash se produjo con el anuncio de la variante QLC, un importante paso adelante frente a la memoria TLC que pronto quedará superado por la memoria OLC.

Según las últimas informaciones Micron está embarcada en el desarrollo de la memoria NAND FLash OLC, un proyecto que están completando a buen ritmo y que podría estar terminado entre finales del primer trimestre y mediados del segundo trimestre de 2019. No hay una fecha definitiva, pero en general todo apunta a mediados de año, como máximo.

La memoria NAND Flash OLC está llamada a marcar una importante revolución por una razón muy sencilla: abrirá las puertas a unidades de almacenamiento SSD de gran tamaño con precios verdaderamente económicos.

Para entender mejor lo que representa este tipo de memoria es necesario ponerla en contexto y compararla con los otros tipos que existen actualmente:

  • Memoria NAND Flash SLC: siglas de «single level cell», significa que se almacena un bit por celda.
  • Memoria NAND Flash MLC: siglas de «multi level cell», en este caso se almacenan dos bits por celda.
  • Memoria NAND Flash TLC: siglas de «triple level cell», es el tipo más utilizado a día de hoy en el mercado de consumo general. Se almacenan tres bits por celda.
  • Memoria NAND Flash QLC: siglas de «quad level cell», estándar llamado a suceder al anterior en consumo general. Se almacenan cuatro bits por celda.
  • Memoria NAND Flash OLC: son las siglas de «octo level cell», un estándar que permitirá almacenar ocho bits por celda.

Pasar a utilizar memoria NAND Flash OLC tiene ventajas importantes, ya que permite elevar la densidad de las unidades de almacenamiento y abaratar costes. Dicho de otra forma, es posible crear unidades SSD con mayor capacidad a precios más bajos, pero se reduce su vida útil al introducir una mayor cantidad de estados de voltaje.

La memoria NAND Flash QLC trabaja con dieciséis estados de voltaje, una diferencia importante frente a los dos estados de voltaje que maneja la memoria SLC por cada celda. Pues bien, esa cifra subirá a 32 estados de voltaje con la memoria OLC.

Esto quiere decir que la vida útil de un SSD con memoria OLC podría ser un 50% menor a la que ofrece su equivalente con memoria QLC. Por ejemplo, una unidad QLC con un ciclo de 300 TB quedaría en 150 TB en su versión OLC. Como vemos la reducción sería notable, pero todavía nos moveríamos en niveles aceptables para el mercado de consumo generla.

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5 comentarios
  • Zizou

    ¿No han terminado de salir las QLC y ya estamos en el siguiente paso? Qué locura. Lo de la vida útil empieza entonces a no preocuparme porque al ritmo que van de descenso de precios casi van a empezar a regalarlas con los yogures, y no va a ser un problema económico cambiar de SSD cada dos años, por ejemplo.

    «La memoria NAND Flash TLC trabaja con dieciséis estados de voltaje» Errata, debería poner QLC.

  • Isidro Ros

    Corregido, gracias por el aviso!

    Saludos.

  • Álvaro Lázaro Laín

    Pues prefiero mantener una unidad más de 2 años que estar cambiándola continuamente.

  • alxSoft

    Igualmente… lo de «aceptable para el mercado de consumo» me parece relativo así como la vida útil habrá quien lo gasta en más o menos tiempo, en mi caso ya dudaba con QLC ahora con OLC… no será lo mío, para el tema de la densidad prefiero que los chips suban de las 64 capas a las esperadas 96.

  • alxSoft

    Otro tema será el de el rendimiento… realmente espero que tengan un plan de contingencia para esos dos previsibles problemas! (controladora, materiales, voltajes, ancho de bus, o cualquier otra solución)

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